外延

外延片(外延片与晶圆的区别)

外延片(外延片与晶圆的区别)

电子元器件 589
外延片 本文内容来自于互联网,分享外延片(外延片与晶圆的区别) 外延片是指用外延工艺在衬底表面生长薄膜所生片的单晶硅片。一般外延层厚度为2-20微米,作为衬底的单晶硅片厚度为610微米左右。   外延工艺:外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初,为了制造高频大功率器件,需要减小集电极串联电阻...
LED外延片工艺(led外延片工艺流程)

LED外延片工艺(led外延片工艺流程)

电子元器件 308
LED外延片工艺 本文内容来自于互联网,分享LED外延片工艺(led外延片工艺流程) 衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - P型GaN层生长 - 退火 - 检测(光荧光、X射线) - 外延片   外延片- 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - N型电...
外延生长(外延生长的基本原理)

外延生长(外延生长的基本原理)

电子元器件 284
外延生长 本文内容来自于互联网,分享外延生长(外延生长的基本原理) 外延生长Top  外延生长【epitaxial growth】【】 在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层的方法。外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初,为了制造高频大功率器件,需要减小集电极串联电阻。...
LED外延片(LED外延片)

LED外延片(LED外延片)

电子元器件 270
LED外延片 本文内容来自于互联网,分享LED外延片(LED外延片) LED外延片   LED外延片生长的基本原理是:在一块加LED外延片热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化...